BAS16,215 Τιμολόγηση (USD) [3839138τεμ]
- 1 pcs$0.00963
- 3,000 pcs$0.00921
- 6,000 pcs$0.00831
- 15,000 pcs$0.00723
- 30,000 pcs$0.00650
- 75,000 pcs$0.00578
- 150,000 pcs$0.00482
- Αριθμός εξαρτήματος:
- BAS16,215
- Κατασκευαστής:
- Nexperia USA Inc.
- Λεπτομερής περιγραφή:
- DIODE GEN PURP 100V 215MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching SW 75V 215MA HS
- Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
- Σε απόθεμα
- Διάρκεια ζωής:
- Ενας χρόνος
- Chip Από:
- Χονγκ Κονγκ
- RoHS:
- Μέθοδος πληρωμής:
-
- Τρόπος αποστολής:
- Κατηγορίες Οικογένειας:
- KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays, Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος, Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία, Δίοδοι - RF, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF and Τρανζίστορ - JFET ...
- Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
- Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Nexperia USA Inc. BAS16,215. Το BAS16,215 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το BAS16,215, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
BAS16,215 Χαρακτηριστικά προϊόντος
Αριθμός εξαρτήματος :
BAS16,215
Κατασκευαστής :
Nexperia USA Inc.
Περιγραφή :
DIODE GEN PURP 100V 215MA SOT23
Σειρά :
Automotive, AEC-Q101, BAS16
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τύπος διόδου :
Standard
Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) :
100V
Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) :
215mA (DC)
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν :
1.25V @ 150mA
Ταχύτητα :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Χρόνος αντεπιστροφής (trr) :
4ns
Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr :
500nA @ 80V
Χωρητικότητα @ Vr, F :
1.5pF @ 0V, 1MHz
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο / Θήκη :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
TO-236AB
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση :
150°C (Max)
Τελευταία νέα
Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
-
RGL34G-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 400 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM
-
BYM07-300-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213. Rectifiers 300 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated
-
BYM07-50-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Rectifiers 50 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated
-
EGL34C-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 150V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 150 Volt 50ns
-
EGL34F-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 300 Volt 50ns
-
EGL34A-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Rectifiers 0.5 Amp 50 Volt 50ns
Hot Parts
- MBR1645-10HE3/45
- D251K12BXPSA1
- JTXM19500/469-05
- UF1503S-B
- SB05-05C-M-TB-E
- LS412060
- FR204TA
- JANTX1N6661US
- RGP10K-M3/73
- GP10G-4004E-M3/73
- RU 3AM
- RF 1A
- SD24145
- JANTXV1N5802
- MBRB1050HE3/45
- HER604-TP
- SS1H10HE3/61T
- S5MHE3/57T
- ESH2PD-E3/84A
- SS8PH9HM3/87A
- SS2P3-E3/85A
- SS1H10HE3/5AT
- SS19-E3/5AT
- GP30KHE3/54
- GP20B-E3/54
- EGP20DHE3/73
- STPS1545R
- STTH3002G
- LSM345JE3
- ES2A-TP
- VS-HFA16TB120PBF
- VS-1N5819
- 241NQ045R
- 1N6630
- RL103-AP
- ER303-AP
- RO 2CV1
- RU 3AV1
- S10MC M6G
- ES3A M6G