Infineon Technologies - F3L100R12W2H3B11BPSA1

KEY Part #: K6534593

F3L100R12W2H3B11BPSA1 Τιμολόγηση (USD) [1652τεμ]

  • 1 pcs$26.19344

Αριθμός εξαρτήματος:
F3L100R12W2H3B11BPSA1
Κατασκευαστής:
Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή:
IGBT MODULE VCES 600V 200A.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction, Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, Δίοδοι - RF, Δίοδοι - ανορθωτές - πίνακες, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ, Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays and Θυρίστορ - SCR - Μονάδες ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Infineon Technologies F3L100R12W2H3B11BPSA1. Το F3L100R12W2H3B11BPSA1 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το F3L100R12W2H3B11BPSA1, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

F3L100R12W2H3B11BPSA1 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : F3L100R12W2H3B11BPSA1
Κατασκευαστής : Infineon Technologies
Περιγραφή : IGBT MODULE VCES 600V 200A
Σειρά : -
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος IGBT : -
Διαμόρφωση : Three Phase Inverter
Τάση - Κατανομή πομπού συλλέκτη (Max) : 1200V
Ρεύμα - συλλέκτης (Ic) (μέγιστο) : 100A
Ισχύς - Μέγ : 375W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 1.75V @ 15V, 50A
Τρέχουσα - Αποκοπή συλλέκτη (Max) : 1mA
Χωρητικότητα εισόδου (Cies) @ Vce : 6.15nF @ 25V
Εισαγωγή : Standard
NTC Thermistor : Yes
Θερμοκρασία λειτουργίας : -40°C ~ 150°C
Τύπος συναρμολόγησης : Chassis Mount
Πακέτο / Θήκη : Module
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : Module

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • VS-CPV364M4KPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 13A IMS-2.

  • VS-CPV362M4FPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 8.8A 23W IMS-2.

  • VS-CPV364M4UPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

  • A2P75S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 75A ACEPACK2.

  • A2P75S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 75A ACEPACK2.

  • A1C15S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 15A ACEPACK1.