Vishay Semiconductor Diodes Division - NSB8JTHE3_A/P

KEY Part #: K6439150

NSB8JTHE3_A/P Τιμολόγηση (USD) [128710τεμ]

  • 1 pcs$0.28737
  • 1,000 pcs$0.26162

Αριθμός εξαρτήματος:
NSB8JTHE3_A/P
Κατασκευαστής:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Λεπτομερής περιγραφή:
DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Rectifiers 8A 600V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας, Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - RF, Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays and Θυρίστορ - SCR - Μονάδες ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Vishay Semiconductor Diodes Division NSB8JTHE3_A/P. Το NSB8JTHE3_A/P μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το NSB8JTHE3_A/P, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NSB8JTHE3_A/P Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : NSB8JTHE3_A/P
Κατασκευαστής : Vishay Semiconductor Diodes Division
Περιγραφή : DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Σειρά : Automotive, AEC-Q101
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος διόδου : Standard
Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) : 600V
Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) : 8A
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν : 1.1V @ 8A
Ταχύτητα : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Χρόνος αντεπιστροφής (trr) : -
Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr : 10µA @ 600V
Χωρητικότητα @ Vr, F : 55pF @ 4V, 1MHz
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο / Θήκη : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : TO-263AB
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση : -55°C ~ 150°C

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • APT15D100KG

    Microsemi Corporation

    DIODE GEN PURP 1KV 15A TO220. Rectifiers FG, FRED, 1000V, 15A, TO-220, RoHS

  • BYV29-600PQ

    WeEn Semiconductors

    DIODE GEN PURP 600V 9A TO220AB. Rectifiers BYV29-600PQ/TO220-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

  • S07J-M-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GP 600V 700MA DO219AB. Rectifiers SWITCHING DIODE GENPURP SMF DO219e3M

  • S07M-M-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 700MA DO219AB. Rectifiers SWITCHING DIODE GENPURP SMF DO219e3M

  • MB10H100HE3_A/P

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 10A,100V,TO-263AB AEC-Q101 Qualified

  • NSB8KTHE3_A/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB. Rectifiers 8A 800V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified