Infineon Technologies - FZ1200R45KL3B5NOSA1

KEY Part #: K6532759

FZ1200R45KL3B5NOSA1 Τιμολόγηση (USD) [35τεμ]

  • 1 pcs$1004.74831

Αριθμός εξαρτήματος:
FZ1200R45KL3B5NOSA1
Κατασκευαστής:
Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή:
MODULE IGBT A-IHV190-4.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ, Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός, Τρανζίστορ - IGBT - Ενιαίος, Θυρίστορ - SCRs, Θυρίστορες - DIAC, SIDAC, Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία and Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Infineon Technologies FZ1200R45KL3B5NOSA1. Το FZ1200R45KL3B5NOSA1 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το FZ1200R45KL3B5NOSA1, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FZ1200R45KL3B5NOSA1 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : FZ1200R45KL3B5NOSA1
Κατασκευαστής : Infineon Technologies
Περιγραφή : MODULE IGBT A-IHV190-4
Σειρά : -
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος IGBT : -
Διαμόρφωση : Single
Τάση - Κατανομή πομπού συλλέκτη (Max) : 4500V
Ρεύμα - συλλέκτης (Ic) (μέγιστο) : 1200A
Ισχύς - Μέγ : 13500W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 2.85V @ 15V, 1200A
Τρέχουσα - Αποκοπή συλλέκτη (Max) : 5mA
Χωρητικότητα εισόδου (Cies) @ Vce : 280nF @ 25V
Εισαγωγή : Standard
NTC Thermistor : No
Θερμοκρασία λειτουργίας : -50°C ~ 125°C
Τύπος συναρμολόγησης : Chassis Mount
Πακέτο / Θήκη : Module
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : Module

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • VS-GB90SA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • VS-GB90DA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • VS-GB75NA60UF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 70A HS CHOPPER SOT-227. Rectifiers Output & SW Modules SOT-227 IGBT