IXYS - IXTQ180N10T

KEY Part #: K6397389

IXTQ180N10T Τιμολόγηση (USD) [21548τεμ]

  • 1 pcs$2.10214
  • 10 pcs$1.87870
  • 100 pcs$1.54038
  • 500 pcs$1.24731
  • 1,000 pcs$0.99800

Αριθμός εξαρτήματος:
IXTQ180N10T
Κατασκευαστής:
IXYS
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CH 100V 180A TO-3P.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays, Θυρίστορ - SCRs, Θυρίστορες - TRIAC, Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος, Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - RF and Θυρίστορ - SCR - Μονάδες ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα IXYS IXTQ180N10T. Το IXTQ180N10T μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το IXTQ180N10T, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTQ180N10T Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : IXTQ180N10T
Κατασκευαστής : IXYS
Περιγραφή : MOSFET N-CH 100V 180A TO-3P
Σειρά : TrenchMV™
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 100V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 180A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.4 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 151nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 6900pF @ 25V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 480W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : TO-3P
Πακέτο / Θήκη : TO-3P-3, SC-65-3