Global Power Technologies Group - GP2M020A050N

KEY Part #: K6412436

[13445τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    GP2M020A050N
    Κατασκευαστής:
    Global Power Technologies Group
    Λεπτομερής περιγραφή:
    MOSFET N-CH 500V 20A TO3PN.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays, Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, Θυρίστορες - DIAC, SIDAC, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays, Δίοδοι - ανορθωτές - πίνακες and Θυρίστορ - SCR - Μονάδες ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Global Power Technologies Group GP2M020A050N. Το GP2M020A050N μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το GP2M020A050N, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    GP2M020A050N Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : GP2M020A050N
    Κατασκευαστής : Global Power Technologies Group
    Περιγραφή : MOSFET N-CH 500V 20A TO3PN
    Σειρά : -
    Κατάσταση εξαρτήματος : Obsolete
    Τύπος FET : N-Channel
    Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
    Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 500V
    Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 20A (Tc)
    Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 300 mOhm @ 10A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
    Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 44nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±30V
    Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 2880pF @ 25V
    FET χαρακτηριστικό : -
    Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 312W (Tc)
    Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Τύπος συναρμολόγησης : Through Hole
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : TO-3PN
    Πακέτο / Θήκη : TO-3P-3, SC-65-3

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • IRLR3705Z

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

    • IRFR2307Z

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 75V 42A DPAK.

    • IRFR2607Z

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 75V 42A DPAK.

    • IRFR1010Z

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

    • GP2M002A060CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 600V 2A DPAK.

    • IRFR4104TRR

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 40V 42A DPAK.