Sanken - RM 4Z

KEY Part #: K6441282

RM 4Z Τιμολόγηση (USD) [111333τεμ]

  • 1 pcs$0.34804
  • 10 pcs$0.30533
  • 25 pcs$0.27036
  • 100 pcs$0.23548
  • 250 pcs$0.20493
  • 500 pcs$0.17442
  • 1,000 pcs$0.13953
  • 2,500 pcs$0.12645
  • 5,000 pcs$0.11773

Αριθμός εξαρτήματος:
RM 4Z
Κατασκευαστής:
Sanken
Λεπτομερής περιγραφή:
DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Θυρίστορες - DIAC, SIDAC, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες, Δίοδοι - RF, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays, Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος, Θυρίστορ - SCR - Μονάδες and Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Sanken RM 4Z. Το RM 4Z μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το RM 4Z, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RM 4Z Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : RM 4Z
Κατασκευαστής : Sanken
Περιγραφή : DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL
Σειρά : -
Κατάσταση εξαρτήματος : Obsolete
Τύπος διόδου : Standard
Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) : 200V
Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) : 3A
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν : 950mV @ 3A
Ταχύτητα : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Χρόνος αντεπιστροφής (trr) : -
Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr : 10µA @ 200V
Χωρητικότητα @ Vr, F : -
Τύπος συναρμολόγησης : Through Hole
Πακέτο / Θήκη : Axial
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : Axial
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση : -40°C ~ 150°C
Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • VS-HFA04SD60S-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 4A TO252AA. Diodes - General Purpose, Power, Switching 4A 600V Ultrafast 17ns HEXFRED

  • VS-EPH3006LHN3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD. Rectifiers 600V 30A FRED Pt TO-247 LL 2L

  • VS-E4PU6006LHN3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD. Rectifiers 600V 60A FRED Pt TO-247 LL 2L

  • SFA808G C0G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC. Rectifiers 35ns8A 600V Sp Fst Recov Rectifier

  • STTH3010PI

    STMicroelectronics

    DIODE GEN PURP 1KV 30A DOP3I. Diodes - General Purpose, Power, Switching high voltage diode

  • FERD30SM100ST

    STMicroelectronics

    DIODE RECT 100V 30A TO220AB. Rectifiers Field Effect Rectifier