Αριθμός εξαρτήματος :
RS1GL R3G
Κατασκευαστής :
Taiwan Semiconductor Corporation
Περιγραφή :
DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) :
400V
Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) :
800mA
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν :
1.3V @ 800mA
Ταχύτητα :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Χρόνος αντεπιστροφής (trr) :
150ns
Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr :
5µA @ 400V
Χωρητικότητα @ Vr, F :
10pF @ 4V, 1MHz
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
Sub SMA
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση :
-55°C ~ 150°C