Vishay Semiconductor Diodes Division - BYG10J-E3/TR

KEY Part #: K6452662

BYG10J-E3/TR Τιμολόγηση (USD) [833970τεμ]

  • 1 pcs$0.04724
  • 1,800 pcs$0.04701
  • 3,600 pcs$0.04231
  • 5,400 pcs$0.03996
  • 12,600 pcs$0.03643
  • 45,000 pcs$0.03408

Αριθμός εξαρτήματος:
BYG10J-E3/TR
Κατασκευαστής:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Λεπτομερής περιγραφή:
DIODE AVALANCHE 600V 1.5A. Rectifiers 1.5 Amp 600 Volt
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays, Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες, Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction, Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας and Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Vishay Semiconductor Diodes Division BYG10J-E3/TR. Το BYG10J-E3/TR μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το BYG10J-E3/TR, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYG10J-E3/TR Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : BYG10J-E3/TR
Κατασκευαστής : Vishay Semiconductor Diodes Division
Περιγραφή : DIODE AVALANCHE 600V 1.5A
Σειρά : -
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος διόδου : Avalanche
Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) : 600V
Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) : 1.5A
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν : 1.15V @ 1.5A
Ταχύτητα : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Χρόνος αντεπιστροφής (trr) : 4µs
Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr : 1µA @ 600V
Χωρητικότητα @ Vr, F : -
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο / Θήκη : DO-214AC, SMA
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : DO-214AC (SMA)
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση : -55°C ~ 150°C

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • RRE04EA4DTR

    Rohm Semiconductor

    DIODE GEN PURP 400V 400MA TSMD5. Rectifiers Rectifier Diodes

  • C3D02065E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 650V 2A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky Diode 2A, 650V

  • BAS70E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT23-3. Schottky Diodes & Rectifiers 70V 0.07A

  • V10WL45-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 10A 45V DPAK.

  • VS-12EWH06FN-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 12A TO252. Rectifiers 12A 600V 18ns Hyperfast

  • VS-15EWH06FN-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 15A DPAK. Rectifiers 15A 600V 22ns Hyperfast