EPC - EPC2100

KEY Part #: K6523302

EPC2100 Τιμολόγηση (USD) [19847τεμ]

  • 1 pcs$2.07658

Αριθμός εξαρτήματος:
EPC2100
Κατασκευαστής:
EPC
Λεπτομερής περιγραφή:
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Θυρίστορ - SCR - Μονάδες, Θυρίστορ - SCRs, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays, Μονάδες οδηγού ισχύος, Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος and Θυρίστορες - TRIAC ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα EPC EPC2100. Το EPC2100 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το EPC2100, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EPC2100 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : EPC2100
Κατασκευαστής : EPC
Περιγραφή : GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
Σειρά : eGaN®
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : 2 N-Channel (Half Bridge)
FET χαρακτηριστικό : GaNFET (Gallium Nitride)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 30V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 10A (Ta), 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
Ισχύς - Μέγ : -
Θερμοκρασία λειτουργίας : -40°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο / Θήκη : Die
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : Die
Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • SI1539DDL-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET N/P-CH 30V SC70-6.

  • SM6K2T110

    Rohm Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 60V 0.2A SOT-457.

  • ZXMC3AMCTA

    Diodes Incorporated

    MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN.

  • AO8804L

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    MOSFET 2N-CH 20V.

  • SI4288DY-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SO.

  • SH8K32TB1

    Rohm Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 60V 4.5A SOP8.