Rohm Semiconductor - RP1A090ZPTR

KEY Part #: K6412893

[13288τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    RP1A090ZPTR
    Κατασκευαστής:
    Rohm Semiconductor
    Λεπτομερής περιγραφή:
    MOSFET P-CH 12V 9A MPT6.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - RF, Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος and Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Rohm Semiconductor RP1A090ZPTR. Το RP1A090ZPTR μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το RP1A090ZPTR, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    RP1A090ZPTR Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : RP1A090ZPTR
    Κατασκευαστής : Rohm Semiconductor
    Περιγραφή : MOSFET P-CH 12V 9A MPT6
    Σειρά : -
    Κατάσταση εξαρτήματος : Obsolete
    Τύπος FET : P-Channel
    Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
    Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 12V
    Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 9A (Ta)
    Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12 mOhm @ 9A, 4.5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA
    Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 59nC @ 4.5V
    Vgs (Max) : ±10V
    Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 7400pF @ 6V
    FET χαρακτηριστικό : -
    Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 2W (Ta)
    Θερμοκρασία λειτουργίας : 150°C (TJ)
    Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : MPT6
    Πακέτο / Θήκη : 6-SMD, Flat Leads

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • IRF5804TRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 40V 2.5A 6-TSOP.

    • 2N7008

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 150MA TO-92.

    • ZVP2110A

      Diodes Incorporated

      MOSFET P-CH 100V 0.23A TO92-3.

    • BS170RLRA

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.

    • VN0300L

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92.

    • VN2222LL

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 150MA TO-92.