Αριθμός εξαρτήματος :
1N485B
Κατασκευαστής :
ON Semiconductor
Περιγραφή :
DIODE GEN PURP 200V 200MA DO35
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) :
200V
Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) :
200mA
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν :
1V @ 100mA
Ταχύτητα :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Χρόνος αντεπιστροφής (trr) :
-
Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr :
25nA @ 175V
Τύπος συναρμολόγησης :
Through Hole
Πακέτο / Θήκη :
DO-204AH, DO-35, Axial
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
DO-35
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση :
175°C (Max)