GeneSiC Semiconductor - MBRT60035R

KEY Part #: K6468476

Λεπτομερής περιγραφή:: DIODE MODULE 35V 600A 3TOWER. Schottky Diodes & Rectifiers SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 600A 35P/25R

Κατηγορίες Οικογένειας:: KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction, Τρανζίστορ - JFET, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Δίοδοι - RF, Δίοδοι - ανορθωτές - πίνακες, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - RF, Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος and Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία ...

Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:: Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα GeneSiC Semiconductor MBRT60035R. Το MBRT60035R μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το MBRT60035R, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com

Αριθμός εξαρτήματος : MBRT60035R

Κατασκευαστής : GeneSiC Semiconductor

Περιγραφή : DIODE MODULE 35V 600A 3TOWER

Σειρά : -

Κατάσταση εξαρτήματος : Active

Διαμόρφωση διόδου : 1 Pair Common Anode

Τύπος διόδου : Schottky

Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) : 35V

Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο) : 600A (DC)

Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν : 750mV @ 300A

Ταχύτητα : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Χρόνος αντεπιστροφής (trr) : -

Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr : 1mA @ 20V

Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση : -

Τύπος συναρμολόγησης : Chassis Mount

Πακέτο / Θήκη : Three Tower

Πακέτο συσκευής προμηθευτή : Three Tower

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει

2N5246

ON Semiconductor

JFET N-CH 30V 7MA TO92.
2N5953

ON Semiconductor

JFET N-CH 30V 5MA TO92.
J304_D26Z

ON Semiconductor

JFET N-CH 30V 15MA TO92.
2N5951_D27Z

ON Semiconductor

JFET N-CH 30V 13MA TO92.
BF245C_D26Z

ON Semiconductor

JFET N-CH 30V 25MA TO92.
LQA10N150C

Power Integrations

DIODE CC 150V 5A DUAL TO252. Rectifiers 150V, Dual, 5A Ultra-Low Qrr Rect