Αριθμός εξαρτήματος :
1N5809US
Κατασκευαστής :
Microsemi Corporation
Περιγραφή :
DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) :
100V
Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) :
3A
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν :
875mV @ 4A
Ταχύτητα :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Χρόνος αντεπιστροφής (trr) :
30ns
Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr :
5µA @ 100V
Χωρητικότητα @ Vr, F :
60pF @ 10V, 1MHz
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο / Θήκη :
SQ-MELF, B
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
B, SQ-MELF
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση :
-65°C ~ 175°C