Αριθμός εξαρτήματος :
1N6077US
Κατασκευαστής :
Microsemi Corporation
Περιγραφή :
DIODE GEN PURP 100V 6A D5B
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) :
100V
Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) :
6A
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν :
1.76V @ 18.8A
Ταχύτητα :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Χρόνος αντεπιστροφής (trr) :
30ns
Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr :
5µA @ 100V
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο / Θήκη :
SQ-MELF, E
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
D-5B
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση :
-65°C ~ 155°C