Infineon Technologies - IRL40T209ATMA1

KEY Part #: K6397658

IRL40T209ATMA1 Τιμολόγηση (USD) [26634τεμ]

  • 1 pcs$1.54739

Αριθμός εξαρτήματος:
IRL40T209ATMA1
Κατασκευαστής:
Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CH 40V 586A PG-HSOG-8-1.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays, Δίοδοι - RF, Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός, Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες, Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος and Τρανζίστορ - JFET ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Infineon Technologies IRL40T209ATMA1. Το IRL40T209ATMA1 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το IRL40T209ATMA1, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRL40T209ATMA1 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : IRL40T209ATMA1
Κατασκευαστής : Infineon Technologies
Περιγραφή : MOSFET N-CH 40V 586A PG-HSOG-8-1
Σειρά : StrongIRFET™
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 40V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 300A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 0.72 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 269nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 16000pF @ 20V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 500W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : PG-HSOF-8-1
Πακέτο / Θήκη : 8-PowerSFN

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • TN0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

  • FDD9407L-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 100A.

  • FDD86250-F085

    ON Semiconductor

    NMOS DPAK 150V 22 MOHM.

  • TK290A65Y,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 11.5A TO220SIS.

  • TK22A10N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 52A TO-220.

  • TK35A08N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 80V 35A TO-220.