Infineon Technologies - SPB100N04S2L-03

KEY Part #: K6409756

[171τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    SPB100N04S2L-03
    Κατασκευαστής:
    Infineon Technologies
    Λεπτομερής περιγραφή:
    MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ, Μονάδες οδηγού ισχύος, Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays, Τρανζίστορ - JFET, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays and Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Infineon Technologies SPB100N04S2L-03. Το SPB100N04S2L-03 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το SPB100N04S2L-03, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SPB100N04S2L-03 Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : SPB100N04S2L-03
    Κατασκευαστής : Infineon Technologies
    Περιγραφή : MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
    Σειρά : OptiMOS™
    Κατάσταση εξαρτήματος : Obsolete
    Τύπος FET : N-Channel
    Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
    Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 40V
    Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 100A (Tc)
    Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 mOhm @ 80A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
    Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 230nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 8000pF @ 25V
    FET χαρακτηριστικό : -
    Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 300W (Tc)
    Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : PG-TO263-3-2
    Πακέτο / Θήκη : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • FDD8647L

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 40V 14A DPAK.

    • FDD5353

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 11.5A DPAK.

    • FQD19N10LTM

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK.

    • FDD8778

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 25V 35A DPAK.

    • PSMN2R2-40PS,127

      Nexperia USA Inc.

      MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB.

    • SN7002N E6433

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23.