Infineon Technologies - F3L300R12PT4PB26BOSA1

KEY Part #: K6532768

F3L300R12PT4PB26BOSA1 Τιμολόγηση (USD) [391τεμ]

  • 1 pcs$118.41315

Αριθμός εξαρτήματος:
F3L300R12PT4PB26BOSA1
Κατασκευαστής:
Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή:
MOD IGBT MED POWER ECONO4-1.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ, Δίοδοι - ανορθωτές - πίνακες, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays, Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία, Θυρίστορες - TRIAC, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ and Τρανζίστορ - IGBT - Ενιαίος ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Infineon Technologies F3L300R12PT4PB26BOSA1. Το F3L300R12PT4PB26BOSA1 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το F3L300R12PT4PB26BOSA1, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

F3L300R12PT4PB26BOSA1 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : F3L300R12PT4PB26BOSA1
Κατασκευαστής : Infineon Technologies
Περιγραφή : MOD IGBT MED POWER ECONO4-1
Σειρά : *
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος IGBT : -
Διαμόρφωση : -
Τάση - Κατανομή πομπού συλλέκτη (Max) : -
Ρεύμα - συλλέκτης (Ic) (μέγιστο) : -
Ισχύς - Μέγ : -
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : -
Τρέχουσα - Αποκοπή συλλέκτη (Max) : -
Χωρητικότητα εισόδου (Cies) @ Vce : -
Εισαγωγή : -
NTC Thermistor : -
Θερμοκρασία λειτουργίας : -
Τύπος συναρμολόγησης : -
Πακέτο / Θήκη : -
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : -

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • VS-GB90SA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • VS-GB90DA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • VS-GB75NA60UF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 70A HS CHOPPER SOT-227. Rectifiers Output & SW Modules SOT-227 IGBT