ON Semiconductor - FDS5170N7

KEY Part #: K6413758

[12990τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    FDS5170N7
    Κατασκευαστής:
    ON Semiconductor
    Λεπτομερής περιγραφή:
    MOSFET N-CH 60V 10.6A 8-SOIC.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες, Θυρίστορες - DIAC, SIDAC, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Τρανζίστορ - JFET, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays, Μονάδες οδηγού ισχύος, Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction and Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα ON Semiconductor FDS5170N7. Το FDS5170N7 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το FDS5170N7, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FDS5170N7 Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : FDS5170N7
    Κατασκευαστής : ON Semiconductor
    Περιγραφή : MOSFET N-CH 60V 10.6A 8-SOIC
    Σειρά : PowerTrench®
    Κατάσταση εξαρτήματος : Obsolete
    Τύπος FET : N-Channel
    Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
    Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 60V
    Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 10.6A (Ta)
    Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 6V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12 mOhm @ 10.6A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
    Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 71nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 2889pF @ 30V
    FET χαρακτηριστικό : -
    Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 3W (Ta)
    Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : 8-SO
    Πακέτο / Θήκη : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • IRF5805

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 30V 3.8A 6-TSOP.

    • IRF5800

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP.

    • IRF5804

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 40V 2.5A 6-TSOP.

    • IRF5803

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP.

    • IRF5806

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 20V 4A 6-TSOP.

    • ZVNL110ASTOB

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.