Microsemi Corporation - APT200GT60JR

KEY Part #: K6532747

APT200GT60JR Τιμολόγηση (USD) [2385τεμ]

  • 1 pcs$18.24635
  • 12 pcs$18.15557

Αριθμός εξαρτήματος:
APT200GT60JR
Κατασκευαστής:
Microsemi Corporation
Λεπτομερής περιγραφή:
IGBT 600V 195A ISOTOP.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Θυρίστορες - TRIAC, Θυρίστορες - DIAC, SIDAC, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays, Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος and Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Microsemi Corporation APT200GT60JR. Το APT200GT60JR μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το APT200GT60JR, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT200GT60JR Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : APT200GT60JR
Κατασκευαστής : Microsemi Corporation
Περιγραφή : IGBT 600V 195A ISOTOP
Σειρά : Thunderbolt IGBT®
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος IGBT : NPT
Διαμόρφωση : Single
Τάση - Κατανομή πομπού συλλέκτη (Max) : 600V
Ρεύμα - συλλέκτης (Ic) (μέγιστο) : 195A
Ισχύς - Μέγ : 500W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 2.5V @ 15V, 200A
Τρέχουσα - Αποκοπή συλλέκτη (Max) : 25µA
Χωρητικότητα εισόδου (Cies) @ Vce : 8.65nF @ 25V
Εισαγωγή : Standard
NTC Thermistor : No
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Chassis Mount
Πακέτο / Θήκη : SOT-227-4, miniBLOC
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : SOT-227

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • VS-GB90SA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • VS-GB90DA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • VS-GB75NA60UF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 70A HS CHOPPER SOT-227. Rectifiers Output & SW Modules SOT-227 IGBT