Αριθμός εξαρτήματος :
6A10B-G
Κατασκευαστής :
Comchip Technology
Περιγραφή :
DIODE GEN PURP 1KV 6A R6
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) :
1000V
Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) :
6A
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν :
1V @ 6A
Ταχύτητα :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Χρόνος αντεπιστροφής (trr) :
-
Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr :
10µA @ 1000V
Χωρητικότητα @ Vr, F :
100pF @ 4V, 1MHz
Τύπος συναρμολόγησης :
Through Hole
Πακέτο / Θήκη :
R6, Axial
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
R-6
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση :
-55°C ~ 125°C