Vishay Semiconductor Diodes Division - BA783-HE3-18

KEY Part #: K6464482

[6661τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    BA783-HE3-18
    Κατασκευαστής:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Λεπτομερής περιγραφή:
    RF DIODE PIN 35V SOD123.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Θυρίστορες - TRIAC, Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία, Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays, Τρανζίστορ - JFET, Θυρίστορ - SCR - Μονάδες, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ and Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Vishay Semiconductor Diodes Division BA783-HE3-18. Το BA783-HE3-18 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το BA783-HE3-18, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BA783-HE3-18 Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : BA783-HE3-18
    Κατασκευαστής : Vishay Semiconductor Diodes Division
    Περιγραφή : RF DIODE PIN 35V SOD123
    Σειρά : -
    Κατάσταση εξαρτήματος : Obsolete
    Τύπος διόδου : PIN - Single
    Τάση - Αντίστροφη αιχμή (Max) : 35V
    Τρέχουσα - Μέγ : 100mA
    Χωρητικότητα @ Vr, F : 1.2pF @ 3V, 1MHz
    Αντίσταση @ Εάν, F : 1.2 Ohm @ 3mA, 1GHz
    Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : -
    Θερμοκρασία λειτουργίας : 125°C (TJ)
    Πακέτο / Θήκη : SOD-123
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : SOD-123