Vishay Semiconductor Diodes Division - BYG10D-M3/TR

KEY Part #: K6439746

BYG10D-M3/TR Τιμολόγηση (USD) [742232τεμ]

  • 1 pcs$0.05071
  • 12,600 pcs$0.05046

Αριθμός εξαρτήματος:
BYG10D-M3/TR
Κατασκευαστής:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Λεπτομερής περιγραφή:
DIODE AVALANCHE 200V 1.5A. Rectifiers 1.5A,200V VGSC-STD Avalanche SMD
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος, Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός, Θυρίστορ - SCRs, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - RF, Θυρίστορες - DIAC, SIDAC and Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Vishay Semiconductor Diodes Division BYG10D-M3/TR. Το BYG10D-M3/TR μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το BYG10D-M3/TR, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYG10D-M3/TR Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : BYG10D-M3/TR
Κατασκευαστής : Vishay Semiconductor Diodes Division
Περιγραφή : DIODE AVALANCHE 200V 1.5A
Σειρά : Automotive, AEC-Q101
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος διόδου : Avalanche
Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) : 200V
Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) : 1.5A
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν : 1.15V @ 1.5A
Ταχύτητα : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Χρόνος αντεπιστροφής (trr) : 4µs
Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr : 1µA @ 200V
Χωρητικότητα @ Vr, F : -
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο / Θήκη : DO-214AC, SMA
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : DO-214AC (SMA)
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση : -55°C ~ 150°C

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • VS-6EWL06FN-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 6A TO252AA. Rectifiers 6A 600V 59ns Ultrafast

  • BYG10J-E3/TR3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 600V 1.5A. Rectifiers 1.5 Amp 600 Volt

  • BYG24J-M3/TR3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 600V 1.5A. Rectifiers 1.5A,600V,140nS Fast Avalanche,SMD

  • BYG20G-E3/TR3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 400V 1.5A. Rectifiers 1.5 Amp 400 Volt

  • BYG22D-M3/TR3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC. Rectifiers 2A,200V,25nS UF Fast Avalanche,SMD

  • BYG22B-M3/TR

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 100V 2A DO214AC. Rectifiers 2A,100V,25nS UF Fast Avalanche,SMD