Αριθμός εξαρτήματος :
BSC046N10NS3GATMA1
Κατασκευαστής :
Infineon Technologies
Περιγραφή :
MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8
Κατάσταση εξαρτήματος :
Not For New Designs
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
100V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
17A (Ta), 100A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.6 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 120µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
63nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
4500pF @ 50V
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
156W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
PG-TDSON-8
Πακέτο / Θήκη :
8-PowerTDFN