Αριθμός εξαρτήματος :
SI4477DY-T1-GE3
Κατασκευαστής :
Vishay Siliconix
Περιγραφή :
MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-SOIC
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
20V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
26.6A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6.2 mOhm @ 18A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
190nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
4600pF @ 10V
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
3W (Ta), 6.6W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
8-SO
Πακέτο / Θήκη :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)