MBRAF360T3G Τιμολόγηση (USD) [631090τεμ]
- 1 pcs$0.05861
- 5,000 pcs$0.05847
- 10,000 pcs$0.05444
- 25,000 pcs$0.05376
- Αριθμός εξαρτήματος:
- MBRAF360T3G
- Κατασκευαστής:
- ON Semiconductor
- Λεπτομερής περιγραφή:
- DIODE SCHOTTKY 60V 4A SMA. Schottky Diodes & Rectifiers 3 A, 60 V SCHOTTKY RECTIF
- Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
- Σε απόθεμα
- Διάρκεια ζωής:
- Ενας χρόνος
- Chip Από:
- Χονγκ Κονγκ
- RoHS:
- Μέθοδος πληρωμής:
-
- Τρόπος αποστολής:
- Κατηγορίες Οικογένειας:
- KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - IGBT - Ενιαίος, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Θυρίστορες - DIAC, SIDAC, Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Δίοδοι - RF, Θυρίστορες - TRIAC and Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays ...
- Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
- Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα ON Semiconductor MBRAF360T3G. Το MBRAF360T3G μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το MBRAF360T3G, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
MBRAF360T3G Χαρακτηριστικά προϊόντος
Αριθμός εξαρτήματος :
MBRAF360T3G
Κατασκευαστής :
ON Semiconductor
Περιγραφή :
DIODE SCHOTTKY 60V 4A SMA
Σειρά :
-
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τύπος διόδου :
Schottky
Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) :
60V
Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) :
4A
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν :
630mV @ 3A
Ταχύτητα :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Χρόνος αντεπιστροφής (trr) :
-
Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr :
3mA @ 60V
Χωρητικότητα @ Vr, F :
-
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο / Θήκη :
DO-221AC, SMA Flat Leads
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
SMA-FL
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση :
-65°C ~ 150°C
Τελευταία νέα
Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
-
MBRD6100CT-TP
Micro Commercial Co
6A100VSCHOTTKYDPAK PACKAGE. Schottky Diodes & Rectifiers 6A SCHOTTKY RECTIFIER
-
RHRD660S9A
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 600V 6A TO252-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching 6A 600V HyperFast Diode
-
-
BYM10-600-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB. Rectifiers 600 Volt 1.0 Amp Glass Passivated
-
BYM11-1000-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB. Rectifiers 1000 Volt 1.0A 500ns Glass Passivated
-
RGL34A-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM
Hot Parts
- MBR0520L_G
- SB540-B
- RL102-N-0-4-AP
- CR3F-060GPP BK
- CD0603-B0130
- 1N4006 BK
- 1N4936GP-M3/73
- AK 09
- FMY-1036S
- VS-VSKE270-20
- CD214B-B160LF
- CDBMTS230-HF
- CDBMT150-HF
- IDV05S60CXKSA1
- IDT05S60CHKSA1
- DSB5821
- SSA23LHE3/5AT
- GP10GHE3/73
- FFPF15UP20STTU
- FFD06UP20S
- CEFB104-G
- VS-8ETL06SPBF
- FR1A-13-F
- BYD37M,115
- 10ETF10S
- HER601-T
- FR302-T
- MBRS2040LT3H
- BY133-TP
- 1A5-TP
- GIB1402-E3/81
- SK86C R7G
- VS-15EVH06-M3/I
- UH4PCCHM3_A/H
- STTH3R02AFY
- 1N4947GP-E3/53
- U2D-M3/52T
- RBR3LAM30BTFTR
- RGP10JE-E3/54
- BYW27-200GP-E3/54