Nexperia USA Inc. - PMZB290UNE,315

KEY Part #: K6416456

PMZB290UNE,315 Τιμολόγηση (USD) [1329372τεμ]

  • 1 pcs$0.03436
  • 10,000 pcs$0.03419

Αριθμός εξαρτήματος:
PMZB290UNE,315
Κατασκευαστής:
Nexperia USA Inc.
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006B-3.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος, Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays, Θυρίστορες - TRIAC, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ, Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays, Θυρίστορες - DIAC, SIDAC and Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Nexperia USA Inc. PMZB290UNE,315. Το PMZB290UNE,315 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το PMZB290UNE,315, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PMZB290UNE,315 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : PMZB290UNE,315
Κατασκευαστής : Nexperia USA Inc.
Περιγραφή : MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006B-3
Σειρά : -
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 20V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 1A (Ta)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 380 mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 950mV @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 0.68nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±8V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 83pF @ 10V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : DFN1006B-3
Πακέτο / Θήκη : 3-XFDFN

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • FDD7N20TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 200V 5A D-PAK.

  • IRLR8726TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 86A DPAK.

  • FQD2N90TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK.

  • FDD16AN08A0

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 75V 50A D-PAK.

  • IRFR3710ZTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 42A DPAK.

  • FDD6685

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 30V 11A DPAK.