Αριθμός εξαρτήματος :
SQM200N04-1M7L_GE3
Κατασκευαστής :
Vishay Siliconix
Περιγραφή :
MOSFET N-CH 40V 200A TO-263
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
40V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
200A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.7 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
291nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
11168pF @ 20V
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
375W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
TO-263-7
Πακέτο / Θήκη :
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)