Microsemi Corporation - APT46GA90JD40

KEY Part #: K6532676

APT46GA90JD40 Τιμολόγηση (USD) [2993τεμ]

  • 1 pcs$14.46886
  • 10 pcs$13.38381
  • 25 pcs$12.29876
  • 100 pcs$11.43054

Αριθμός εξαρτήματος:
APT46GA90JD40
Κατασκευαστής:
Microsemi Corporation
Λεπτομερής περιγραφή:
IGBT 900V 87A 284W SOT-227.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays, Δίοδοι - ανορθωτές - πίνακες, Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος, Μονάδες οδηγού ισχύος, Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto and Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Microsemi Corporation APT46GA90JD40. Το APT46GA90JD40 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το APT46GA90JD40, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT46GA90JD40 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : APT46GA90JD40
Κατασκευαστής : Microsemi Corporation
Περιγραφή : IGBT 900V 87A 284W SOT-227
Σειρά : POWER MOS 8™
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος IGBT : PT
Διαμόρφωση : Single
Τάση - Κατανομή πομπού συλλέκτη (Max) : 900V
Ρεύμα - συλλέκτης (Ic) (μέγιστο) : 87A
Ισχύς - Μέγ : 284W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 3.1V @ 15V, 47A
Τρέχουσα - Αποκοπή συλλέκτη (Max) : 350µA
Χωρητικότητα εισόδου (Cies) @ Vce : 4.17nF @ 25V
Εισαγωγή : Standard
NTC Thermistor : No
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Chassis Mount
Πακέτο / Θήκη : SOT-227-4, miniBLOC
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : ISOTOP®

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • A2C25S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.