Comchip Technology - CDBJFSC5650-G

KEY Part #: K6441904

CDBJFSC5650-G Τιμολόγηση (USD) [29974τεμ]

  • 1 pcs$1.37498

Αριθμός εξαρτήματος:
CDBJFSC5650-G
Κατασκευαστής:
Comchip Technology
Λεπτομερής περιγραφή:
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 5A 650V
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Μονάδες οδηγού ισχύος, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ, Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - RF, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ and Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Comchip Technology CDBJFSC5650-G. Το CDBJFSC5650-G μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το CDBJFSC5650-G, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CDBJFSC5650-G Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : CDBJFSC5650-G
Κατασκευαστής : Comchip Technology
Περιγραφή : DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
Σειρά : -
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος διόδου : Silicon Carbide Schottky
Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) : 650V
Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) : 5A (DC)
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν : 1.7V @ 5A
Ταχύτητα : No Recovery Time > 500mA (Io)
Χρόνος αντεπιστροφής (trr) : 0ns
Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr : 100µA @ 650V
Χωρητικότητα @ Vr, F : 430pF @ 0V, 1MHz
Τύπος συναρμολόγησης : Through Hole
Πακέτο / Θήκη : TO-220-2 Full Pack
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : TO-220F
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση : -55°C ~ 175°C

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • CDBDSC51200-G

    Comchip Technology

    DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 5A 1200V

  • VS-30EPH06-N3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AC. Rectifiers 30A 600V Hyperfast

  • VS-E4PU6006L-N3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD. Rectifiers 600V 60A FRED Pt TO-247 LL 2L

  • VS-60APH03-N3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 300V 60A TO247AC. Rectifiers 60A 300V Hyperfast 28ns FRED Pt

  • VS-30APF10-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 30A TO247. Rectifiers New Input Diodes - TO-247-e3

  • VS-60APU04-N3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 60A TO247AC. Rectifiers 60A 400V Ultrafast 50ns FRED Pt