Microsemi Corporation - APT50GR120JD30

KEY Part #: K6533687

APT50GR120JD30 Τιμολόγηση (USD) [751τεμ]

  • 20 pcs$15.08204

Αριθμός εξαρτήματος:
APT50GR120JD30
Κατασκευαστής:
Microsemi Corporation
Λεπτομερής περιγραφή:
IGBT 1200V 84A 417W SOT227.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, Δίοδοι - ανορθωτές - πίνακες, Τρανζίστορ - IGBT - Ενιαίος, Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος, Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays, Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction, Θυρίστορ - SCR - Μονάδες and Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Microsemi Corporation APT50GR120JD30. Το APT50GR120JD30 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το APT50GR120JD30, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT50GR120JD30 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : APT50GR120JD30
Κατασκευαστής : Microsemi Corporation
Περιγραφή : IGBT 1200V 84A 417W SOT227
Σειρά : -
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος IGBT : NPT
Διαμόρφωση : Single
Τάση - Κατανομή πομπού συλλέκτη (Max) : 1200V
Ρεύμα - συλλέκτης (Ic) (μέγιστο) : 84A
Ισχύς - Μέγ : 417W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 3.2V @ 15V, 50A
Τρέχουσα - Αποκοπή συλλέκτη (Max) : 1.1mA
Χωρητικότητα εισόδου (Cies) @ Vce : 5.55nF @ 25V
Εισαγωγή : Standard
NTC Thermistor : No
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Chassis Mount
Πακέτο / Θήκη : SOT-227-4
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : SOT-227

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • VS-GT175DA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 288A 1087W SOT-227.

  • VS-CPV363M4KPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

  • VS-GT100NA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.

  • VS-GT100LA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.

  • VS-GT100DA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 184A 577W SOT-227.

  • VS-GT100DA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 258A 893W SOT-227.