Infineon Technologies - IRF6785MTR1PBF

KEY Part #: K6413153

[13198τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    IRF6785MTR1PBF
    Κατασκευαστής:
    Infineon Technologies
    Λεπτομερής περιγραφή:
    MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, Δίοδοι - RF, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος, Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays, Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction, Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος, Τρανζίστορ - JFET and Θυρίστορες - TRIAC ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Infineon Technologies IRF6785MTR1PBF. Το IRF6785MTR1PBF μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το IRF6785MTR1PBF, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRF6785MTR1PBF Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : IRF6785MTR1PBF
    Κατασκευαστής : Infineon Technologies
    Περιγραφή : MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET
    Σειρά : HEXFET®
    Κατάσταση εξαρτήματος : Obsolete
    Τύπος FET : N-Channel
    Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
    Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 200V
    Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 3.4A (Ta), 19A (Tc)
    Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 4.2A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 100µA
    Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 36nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 1500pF @ 25V
    FET χαρακτηριστικό : -
    Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 2.8W (Ta), 57W (Tc)
    Θερμοκρασία λειτουργίας : -40°C ~ 150°C (TJ)
    Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : DIRECTFET™ MZ
    Πακέτο / Θήκη : DirectFET™ Isometric MZ

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • FDB8444TS

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK-5.

    • ZVN4210ASTOA

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 100V 450MA TO92-3.

    • IRFR4105Z

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 30A DPAK.

    • FQD30N06TF_F080

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 22.7A DPAK.

    • FQD5N50CTM_F080

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 500V 4A DPAK.

    • IRFR3711Z

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 20V 93A DPAK.