Vishay Siliconix - SI7232DN-T1-GE3

KEY Part #: K6525374

SI7232DN-T1-GE3 Τιμολόγηση (USD) [239890τεμ]

  • 1 pcs$0.15419
  • 3,000 pcs$0.14509

Αριθμός εξαρτήματος:
SI7232DN-T1-GE3
Κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 20V 25A PPAK 1212-8.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες, Μονάδες οδηγού ισχύος, Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος, Θυρίστορες - TRIAC, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays, Θυρίστορ - SCR - Μονάδες and Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Vishay Siliconix SI7232DN-T1-GE3. Το SI7232DN-T1-GE3 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το SI7232DN-T1-GE3, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7232DN-T1-GE3 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : SI7232DN-T1-GE3
Κατασκευαστής : Vishay Siliconix
Περιγραφή : MOSFET 2N-CH 20V 25A PPAK 1212-8
Σειρά : TrenchFET®
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : 2 N-Channel (Dual)
FET χαρακτηριστικό : Logic Level Gate
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 20V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 25A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16.4 mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 32nC @ 8V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 1220pF @ 10V
Ισχύς - Μέγ : 23W
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο / Θήκη : PowerPAK® 1212-8 Dual
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : PowerPAK® 1212-8 Dual

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει