Αριθμός εξαρτήματος :
SPP11N80C3XKSA1
Κατασκευαστής :
Infineon Technologies
Περιγραφή :
MOSFET N-CH 800V 11A TO-220AB
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
800V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
11A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
450 mOhm @ 7.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.9V @ 680µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
85nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
1600pF @ 100V
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
156W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
PG-TO220-3-1