Infineon Technologies - BSM50GD120DN2E3226BOSA1

KEY Part #: K6534429

BSM50GD120DN2E3226BOSA1 Τιμολόγηση (USD) [695τεμ]

  • 1 pcs$66.82368

Αριθμός εξαρτήματος:
BSM50GD120DN2E3226BOSA1
Κατασκευαστής:
Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή:
IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays, Θυρίστορ - SCR - Μονάδες, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - RF, Τρανζίστορ - JFET, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays and Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Infineon Technologies BSM50GD120DN2E3226BOSA1. Το BSM50GD120DN2E3226BOSA1 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το BSM50GD120DN2E3226BOSA1, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSM50GD120DN2E3226BOSA1 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : BSM50GD120DN2E3226BOSA1
Κατασκευαστής : Infineon Technologies
Περιγραφή : IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2
Σειρά : -
Κατάσταση εξαρτήματος : Not For New Designs
Τύπος IGBT : -
Διαμόρφωση : Three Phase Inverter
Τάση - Κατανομή πομπού συλλέκτη (Max) : 1200V
Ρεύμα - συλλέκτης (Ic) (μέγιστο) : 50A
Ισχύς - Μέγ : 350W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 3V @ 15V, 50A
Τρέχουσα - Αποκοπή συλλέκτη (Max) : 1mA
Χωρητικότητα εισόδου (Cies) @ Vce : 3.3nF @ 25V
Εισαγωγή : Standard
NTC Thermistor : No
Θερμοκρασία λειτουργίας : 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Chassis Mount
Πακέτο / Θήκη : Module
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : Module

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • GA400TD25S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT FAST 250V 400A INT-A-PAK.

  • CPV364M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 15A IMS-2.

  • CPV363M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 9A IMS-2.

  • GA200SA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT UFAST 600V 100A SOT227.

  • GA200SA60S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT STD 600V 100A SOT227.

  • STGE50NB60HD

    STMicroelectronics

    IGBT N-CHAN 600V 50A ISOTOP.