GeneSiC Semiconductor - MBRH20030L

KEY Part #: K6442320

[3173τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    MBRH20030L
    Κατασκευαστής:
    GeneSiC Semiconductor
    Λεπτομερής περιγραφή:
    DIODE SCHOTTKY 30V 200A D-67.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction, Τρανζίστορ - IGBT - Ενιαίος, Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός, Θυρίστορ - SCRs, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF and Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα GeneSiC Semiconductor MBRH20030L. Το MBRH20030L μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το MBRH20030L, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    MBRH20030L Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : MBRH20030L
    Κατασκευαστής : GeneSiC Semiconductor
    Περιγραφή : DIODE SCHOTTKY 30V 200A D-67
    Σειρά : -
    Κατάσταση εξαρτήματος : Obsolete
    Τύπος διόδου : Schottky
    Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) : 30V
    Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) : 200A
    Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν : 580mV @ 200A
    Ταχύτητα : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Χρόνος αντεπιστροφής (trr) : -
    Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr : 3mA @ 30V
    Χωρητικότητα @ Vr, F : -
    Τύπος συναρμολόγησης : Chassis Mount
    Πακέτο / Θήκη : D-67
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : D-67
    Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση : -55°C ~ 150°C
    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • RJU6052SDPD-E0#J2

      Renesas Electronics America

      DIODE GEN PURP 600V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 600V/10A/25ns Trr/TO-252

    • RJU4352SDPD-E0#J2

      Renesas Electronics America

      DIODE GEN PURP 430V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 430V/20A/23ns Trr/TO-252

    • RJU3052SDPD-E0#J2

      Renesas Electronics America

      DIODE GEN PURP 360V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 360V/20A/40ns Trr/TO-252

    • CMDD6001 BK

      Central Semiconductor Corp

      DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Low Leakage 71Vr 100Vrrm 250mA

    • MBR1660-E3/45

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 60V 16A TO220AB. Schottky Diodes & Rectifiers 16 Amp 60Volt Single

    • MBRB7H60HE3/81

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 60V 7.5A TO263AB.