ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS46DR16640C-3DBLA1-TR

KEY Part #: K938173

IS46DR16640C-3DBLA1-TR Τιμολόγηση (USD) [19456τεμ]

  • 1 pcs$2.35509

Αριθμός εξαρτήματος:
IS46DR16640C-3DBLA1-TR
Κατασκευαστής:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Λεπτομερής περιγραφή:
IC DRAM 1G PARALLEL 333MHZ. DRAM Automotive 1G 1.8V DDR2 64Mx16 333MHz
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Απόκτηση δεδομένων - Αναλογικό μέτωπο (AFE), Διασύνδεση - Μόντεμ - Διακομιστές και Μονάδες, PMIC - Φωτισμός, ελεγκτές έρματος, Μνήμη - Μπαταρίες, Διασύνδεση - Τηλεπικοινωνίες, PMIC - Ελεγκτές ανταλλαγής καυσαερίων, Διασύνδεση - αισθητήρας, χωρητική επαφή and PMIC - Διαχείριση ενέργειας - Εξειδικευμένη ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16640C-3DBLA1-TR. Το IS46DR16640C-3DBLA1-TR μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το IS46DR16640C-3DBLA1-TR, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS46DR16640C-3DBLA1-TR Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : IS46DR16640C-3DBLA1-TR
Κατασκευαστής : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Περιγραφή : IC DRAM 1G PARALLEL 333MHZ
Σειρά : -
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος μνήμης : Volatile
Μορφή μνήμης : DRAM
Τεχνολογία : SDRAM - DDR2
Μέγεθος μνήμης : 1Gb (64M x 16)
Συχνότητα ρολογιού : 333MHz
Γράψτε χρόνο κύκλου - Word, Page : 15ns
Χρόνος πρόσβασης : 450ps
Διασύνδεση μνήμης : Parallel
Τάση - Προμήθεια : 1.7V ~ 1.9V
Θερμοκρασία λειτουργίας : -40°C ~ 85°C (TA)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο / Θήκη : 84-TFBGA
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : 84-TWBGA (8x12.5)

Τελευταία νέα

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • AT27C4096-90PU

    Microchip Technology

    IC EPROM 4M PARALLEL 40DIP. EPROM 4Mb (256Kx16) OTP 5V 90ns

  • 71V3576S150PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP.

  • 71V3577S75PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X

  • W94AD2KBJX5I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz, Ind temp

  • TC58BYG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • TC58BVG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)