Rohm Semiconductor - BSM080D12P2C008

KEY Part #: K6522057

BSM080D12P2C008 Τιμολόγηση (USD) [302τεμ]

  • 1 pcs$153.19229
  • 10 pcs$147.91004

Αριθμός εξαρτήματος:
BSM080D12P2C008
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
Λεπτομερής περιγραφή:
SIC POWER MODULE-1200V-80A.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Δίοδοι - ανορθωτές - πίνακες, Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας, Τρανζίστορ - IGBT - Ενιαίος, Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Τρανζίστορ - JFET and Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Rohm Semiconductor BSM080D12P2C008. Το BSM080D12P2C008 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το BSM080D12P2C008, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSM080D12P2C008 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : BSM080D12P2C008
Κατασκευαστής : Rohm Semiconductor
Περιγραφή : SIC POWER MODULE-1200V-80A
Σειρά : -
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : 2 N-Channel (Dual)
FET χαρακτηριστικό : Silicon Carbide (SiC)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 1200V (1.2kV)
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 13.2mA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : -
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 800pF @ 10V
Ισχύς - Μέγ : 600W
Θερμοκρασία λειτουργίας : 175°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Chassis Mount
Πακέτο / Θήκη : Module
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : Module

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει