VS-ST110S12P2V Τιμολόγηση (USD) [976τεμ]
- 1 pcs$47.54903
- 25 pcs$45.28478
- Αριθμός εξαρτήματος:
- VS-ST110S12P2V
- Κατασκευαστής:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Λεπτομερής περιγραφή:
- SCR 1200V 175A TO-94. SCRs Thyristors - TO-83/94 COM RD-e3
- Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
- Σε απόθεμα
- Διάρκεια ζωής:
- Ενας χρόνος
- Chip Από:
- Χονγκ Κονγκ
- RoHS:
- Μέθοδος πληρωμής:
-
- Τρόπος αποστολής:
- Κατηγορίες Οικογένειας:
- KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Δίοδοι - RF, Θυρίστορες - TRIAC, Θυρίστορες - DIAC, SIDAC, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, Θυρίστορ - SCR - Μονάδες, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ and Μονάδες οδηγού ισχύος ...
- Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
- Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Vishay Semiconductor Diodes Division VS-ST110S12P2V. Το VS-ST110S12P2V μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το VS-ST110S12P2V, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
VS-ST110S12P2V Χαρακτηριστικά προϊόντος
Αριθμός εξαρτήματος :
VS-ST110S12P2V
Κατασκευαστής :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Περιγραφή :
SCR 1200V 175A TO-94
Σειρά :
-
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τάση - εκτός λειτουργίας :
1.2kV
Τάση - Πύλη ενεργοποίησης (Vgt) (μέγιστο) :
3V
Τρέχουσα - Πύλη ενεργοποίησης (Igt) (Max) :
150mA
Τάση - κατάσταση κατάστασης (Vtm) (μέγιστο) :
1.52V
Τρέχουσα κατάσταση - On (Αυτό (AV)) (Max) :
110A
Τρέχουσα - Ενεργή κατάσταση (It (RMS)) (Max) :
175A
Τρέχουσα - Κράτηση (Ih) (Μέγιστη) :
600mA
Κατάσταση ρεύματος - εκτός λειτουργίας (μέγιστο) :
20mA
Τρέχουσα - Μη υπέρυθρη υπέρταση 50, 60Hz (Itsm) :
2270A, 2380A
Τύπος SCR :
Standard Recovery
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-40°C ~ 125°C
Τύπος συναρμολόγησης :
Chassis, Stud Mount
Πακέτο / Θήκη :
TO-209AC, TO-94-4, Stud
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
TO-209AC (TO-94)
Τελευταία νέα
Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
-
BAL99E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
-
BAS16E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS16WH6327XTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT323. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIGITAL TRANSISTOR
Hot Parts
- T607101854BT
- C150C
- BT151S-650SJ
- CS220-16M
- JANTXV2N2325AU4
- JAN2N2329U4
- JAN2N2326
- 2N2323U4
- CS218I-50M
- CS218-55D
- CR12CS-16B#B00
- VS-50RIA160MS90
- JANTX2N2326
- CR05BM-12A#B00
- TIC116S-S
- T7SH066054DN
- T727024544DN
- S5025R
- VS-25TTS08PBF
- P0111DN 5AA4
- S6025L58
- S6008L53
- S2006LS3
- 70TPS16
- MCR08MT1
- S8010L
- SK055R
- SK010V
- 40TPS12A
- 16TTS08
- CS35-08IO4
- S4008R
- TDS4244002DH
- T72H023564DN
- X0203MA 5BL2
- S2070WTP
- 12TTS08STRL
- 40TPS12
- CS19-12HO1C
- CS19-08HO1S-TUB