GeneSiC Semiconductor - 1N3889R

KEY Part #: K6445887

1N3889R Τιμολόγηση (USD) [10012τεμ]

  • 1 pcs$2.68386
  • 10 pcs$2.39520
  • 25 pcs$2.15573
  • 100 pcs$1.96411
  • 250 pcs$1.77248
  • 500 pcs$1.59043
  • 1,000 pcs$1.34133

Αριθμός εξαρτήματος:
1N3889R
Κατασκευαστής:
GeneSiC Semiconductor
Λεπτομερής περιγραφή:
DIODE GEN PURP REV 50V 12A DO4. Rectifiers 50V 12A REV Leads Fast Recovery
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays, Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός, Θυρίστορες - TRIAC, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - RF, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία and Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα GeneSiC Semiconductor 1N3889R. Το 1N3889R μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το 1N3889R, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N3889R Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : 1N3889R
Κατασκευαστής : GeneSiC Semiconductor
Περιγραφή : DIODE GEN PURP REV 50V 12A DO4
Σειρά : -
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος διόδου : Standard, Reverse Polarity
Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) : 50V
Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) : 12A
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν : 1.4V @ 12A
Ταχύτητα : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Χρόνος αντεπιστροφής (trr) : 200ns
Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr : 25µA @ 50V
Χωρητικότητα @ Vr, F : -
Τύπος συναρμολόγησης : Chassis, Stud Mount
Πακέτο / Θήκη : DO-203AA, DO-4, Stud
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : DO-4
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση : -65°C ~ 150°C
Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • VS-8EWL06FNTR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK. Rectifiers Ultrafast 8A 600V 60ns

  • VS-6EWL06FNTR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK. Rectifiers Ultrafast 6A 600V 59ns

  • VS-8EWF12STR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3

  • VS-15EWH06FNTR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 15A DPAK. Rectifiers Hyperfast 15A 600V 22ns

  • VS-8EWS08STR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3

  • VT3080S-E3/4W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30A 80V TO-220AB. Schottky Diodes & Rectifiers 30A,80V,TRENCH