Αριθμός εξαρτήματος :
ZXMN10A09KTC
Κατασκευαστής :
Diodes Incorporated
Περιγραφή :
MOSFET N-CH 100V 5A DPAK
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
100V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
5A (Ta)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
85 mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
26nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
1313pF @ 50V
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
2.15W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
TO-252-3
Πακέτο / Θήκη :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63