ON Semiconductor - FDMS3669S

KEY Part #: K6523076

FDMS3669S Τιμολόγηση (USD) [293170τεμ]

  • 1 pcs$0.12680
  • 3,000 pcs$0.12616

Αριθμός εξαρτήματος:
FDMS3669S
Κατασκευαστής:
ON Semiconductor
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A PWR56.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Θυρίστορ - SCRs, Θυρίστορες - TRIAC, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays, Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία and Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα ON Semiconductor FDMS3669S. Το FDMS3669S μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το FDMS3669S, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDMS3669S Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : FDMS3669S
Κατασκευαστής : ON Semiconductor
Περιγραφή : MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A PWR56
Σειρά : PowerTrench®
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET χαρακτηριστικό : Logic Level Gate
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 30V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 13A, 18A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.7V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 24nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 1605pF @ 15V
Ισχύς - Μέγ : 1W
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο / Θήκη : 8-PowerTDFN
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : Power56

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • IRF5810TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP.

  • DMC25D0UVT-7

    Diodes Incorporated

    MOSFET N/P-CH 25V/30V TSOT26.

  • FDY2000PZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 20V 0.35A SOT-563F.

  • BSL308CH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A 6TSOP.

  • ZXMN2AM832TA

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 2.9A 8MLP.

  • AO8801AL

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 8TSSOP.