IXYS - IXFR14N100Q2

KEY Part #: K6408678

IXFR14N100Q2 Τιμολόγηση (USD) [6493τεμ]

  • 1 pcs$7.01536
  • 300 pcs$6.98045

Αριθμός εξαρτήματος:
IXFR14N100Q2
Κατασκευαστής:
IXYS
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CH 1KV 9.5A ISOPLUS247.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - JFET, Θυρίστορ - SCR - Μονάδες, Δίοδοι - RF, Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ, Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες, Θυρίστορες - DIAC, SIDAC and Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα IXYS IXFR14N100Q2. Το IXFR14N100Q2 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το IXFR14N100Q2, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFR14N100Q2 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : IXFR14N100Q2
Κατασκευαστής : IXYS
Περιγραφή : MOSFET N-CH 1KV 9.5A ISOPLUS247
Σειρά : HiPerFET™
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 1000V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 9.5A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.1 Ohm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 4mA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 83nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 2700pF @ 25V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 200W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : ISOPLUS247™
Πακέτο / Θήκη : ISOPLUS247™