Taiwan Semiconductor Corporation - S3B M6G

KEY Part #: K6458196

S3B M6G Τιμολόγηση (USD) [948493τεμ]

  • 1 pcs$0.03900

Αριθμός εξαρτήματος:
S3B M6G
Κατασκευαστής:
Taiwan Semiconductor Corporation
Λεπτομερής περιγραφή:
DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας, Μονάδες οδηγού ισχύος, Τρανζίστορ - JFET, Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός, Θυρίστορες - DIAC, SIDAC, Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ and Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Taiwan Semiconductor Corporation S3B M6G. Το S3B M6G μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το S3B M6G, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

S3B M6G Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : S3B M6G
Κατασκευαστής : Taiwan Semiconductor Corporation
Περιγραφή : DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
Σειρά : -
Κατάσταση εξαρτήματος : Not For New Designs
Τύπος διόδου : Standard
Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) : 100V
Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) : 3A
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν : 1.15V @ 3A
Ταχύτητα : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Χρόνος αντεπιστροφής (trr) : 1.5µs
Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr : 5µA @ 100V
Χωρητικότητα @ Vr, F : 30pF @ 4V, 1MHz
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο / Θήκη : DO-214AB, SMC
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : DO-214AB (SMC)
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση : -55°C ~ 150°C

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • 1SS250(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE GEN PURP 200V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching 0.1A 200V Switching Diode S-Mini High

  • SE30AFG-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1.4A DO221AC. Rectifiers 3.0A, 400V, ESD PROTECTION, SLIM SMA

  • SE30AFD-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1.4A DO221AC. Rectifiers 3.0A, 200V, ESD PROTECTION, SLIM SMA

  • SE30AFB-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 1.4A DO221AC. Rectifiers 3 Amp 100 volts ESD PROTECTION 13in

  • SE20AFJ-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 600 volts ESD PROTECTION 13in

  • SE20AFGHM3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 400 volts ESD PROTECTION 13in