Αριθμός εξαρτήματος :
FDMS8050ET30
Κατασκευαστής :
ON Semiconductor
Περιγραφή :
MOSFET N-CH 30V 55A 8-PQFN
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
30V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
55A (Ta), 423A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
0.65 mOhm @ 55A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 750µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
285nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
22610pF @ 15V
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
3.3W (Ta), 180W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
Power56
Πακέτο / Θήκη :
8-PowerTDFN