Vishay Semiconductor Diodes Division - MMBD914-HE3-18

KEY Part #: K6458611

MMBD914-HE3-18 Τιμολόγηση (USD) [3067282τεμ]

  • 1 pcs$0.01206
  • 10,000 pcs$0.01115

Αριθμός εξαρτήματος:
MMBD914-HE3-18
Κατασκευαστής:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Λεπτομερής περιγραφή:
DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 200mA 4ns
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας, Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ, Τρανζίστορ - JFET, Θυρίστορ - SCRs, Δίοδοι - ανορθωτές - πίνακες and Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Vishay Semiconductor Diodes Division MMBD914-HE3-18. Το MMBD914-HE3-18 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το MMBD914-HE3-18, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MMBD914-HE3-18 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : MMBD914-HE3-18
Κατασκευαστής : Vishay Semiconductor Diodes Division
Περιγραφή : DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23
Σειρά : Automotive, AEC-Q101
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος διόδου : Standard
Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) : 100V
Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) : 200mA
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν : 1V @ 10mA
Ταχύτητα : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Χρόνος αντεπιστροφής (trr) : 4ns
Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr : 5µA @ 75V
Χωρητικότητα @ Vr, F : 4pF @ 0V, 1MHz
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο / Θήκη : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : SOT-23
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση : 150°C (Max)

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • BAL74E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA

  • BAT54T

    ON Semiconductor

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE

  • BAS21E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode

  • BAS116E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode

  • BAR74E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3.

  • BAL99E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode