Αριθμός εξαρτήματος :
TPH7R006PL,L1Q
Κατασκευαστής :
Toshiba Semiconductor and Storage
Περιγραφή :
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
60V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
60A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
13.5 mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 200µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
22nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
1875pF @ 30V
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
81W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
175°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
8-SOP Advance (5x5)
Πακέτο / Θήκη :
8-PowerVDFN