MT48LC8M16A2P-6A IT:L TR Τιμολόγηση (USD) [19195τεμ]
- 1 pcs$2.38722
- 2,000 pcs$2.23848
- Αριθμός εξαρτήματος:
- MT48LC8M16A2P-6A IT:L TR
- Κατασκευαστής:
- Micron Technology Inc.
- Λεπτομερής περιγραφή:
- IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP. DRAM SDRAM 128M 8MX16 TSOP
- Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
- Σε απόθεμα
- Διάρκεια ζωής:
- Ενας χρόνος
- Chip Από:
- Χονγκ Κονγκ
- RoHS:
- Μέθοδος πληρωμής:
-
- Τρόπος αποστολής:
- Κατηγορίες Οικογένειας:
- KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: PMIC - Ρυθμιστές τάσης - Ειδικός σκοπός, PMIC - Ελεγκτές τροφοδοσίας, οθόνες, Λογική - Συγκριτικοί, Ρολόι / Χρονισμός - Μπαταρίες IC, Λογική - Μνήμη FIFOs, Embedded - FPGAs (Field Programmable Gate Array) μ, PMIC - Φορτιστές μπαταριών and PMIC - Διαχείριση μπαταριών ...
- Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
- Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Micron Technology Inc. MT48LC8M16A2P-6A IT:L TR. Το MT48LC8M16A2P-6A IT:L TR μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το MT48LC8M16A2P-6A IT:L TR, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
MT48LC8M16A2P-6A IT:L TR Χαρακτηριστικά προϊόντος
Αριθμός εξαρτήματος :
MT48LC8M16A2P-6A IT:L TR
Κατασκευαστής :
Micron Technology Inc.
Περιγραφή :
IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP
Σειρά :
-
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τύπος μνήμης :
Volatile
Μορφή μνήμης :
DRAM
Τεχνολογία :
SDRAM
Μέγεθος μνήμης :
128Mb (8M x 16)
Συχνότητα ρολογιού :
167MHz
Γράψτε χρόνο κύκλου - Word, Page :
12ns
Χρόνος πρόσβασης :
5.4ns
Διασύνδεση μνήμης :
Parallel
Τάση - Προμήθεια :
3V ~ 3.6V
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-40°C ~ 85°C (TA)
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο / Θήκη :
54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
54-TSOP II
Τελευταία νέα
Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
-
-
TC58BYG2S0HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
-
TC58BVG2S0HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
-
TC58NVG2S0HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
-
-
Hot Parts
- MT46V32M16P-75:C
- MT28F800B3SG-9 T TR
- AT24C64AN-10SI-2.7-T
- AT49LV002N-70VI
- CY7C028-15AC
- AT25128N-10SI-1.8
- S29GL128N10FFI020
- MT53B384M32D2NK-062 WT ES:B TR
- MT53B512M64D4PV-053 WT ES:C
- 71V30VL90TF8
- 93C46B/W15K
- 93C46B-I/W15K
- 24AA16-I/W16K
- S99FL164KMI00
- A2C00045230 A
- IS65WV25616DBLL-45CTLA1
- MT49H32M18CSJ-25E IT:B
- IS62WV6416DBLL-45BLI
- IS61NVP51236-200B3LI
- M25P128-VME6GB
- N25Q512A83GSF40F TR
- MT48LC8M16A2P-7E IT:L
- MT29C1G12MAAIVAMD-5 IT
- MT29E256G08CMCABJ2-10Z:A TR
- W25Q16CVSFIG TR
- MX25U6435EZNI-12G
- MT29C8G48MAZAPBJA-5 IT
- MT47H128M8JN-3 IT:H
- MT47H128M8CF-25E:H
- SST39SF020A-45-4I-WHE
- STK11C68-L35
- JS28F00AP33BF0
- IDT71V416VS15YG
- 71V321S25J8
- 70V9199L9PF
- 7024L20PF8
- CY7C1412BV18-250BZXC
- CY7C1460AV25-167BZXI
- CY7C1360C-166BZI
- M29F040B90N1T TR