Αριθμός εξαρτήματος :
BSB044N08NN3GXUMA1
Κατασκευαστής :
Infineon Technologies
Περιγραφή :
MOSFET N-CH 80V 18A WDSON-2
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
80V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
18A (Ta), 90A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.4 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 97µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
73nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
5700pF @ 40V
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
2.2W (Ta), 78W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
MG-WDSON-2, CanPAK M™