Infineon Technologies - BSB044N08NN3GXUMA1

KEY Part #: K6418464

BSB044N08NN3GXUMA1 Τιμολόγηση (USD) [63934τεμ]

  • 1 pcs$0.61158

Αριθμός εξαρτήματος:
BSB044N08NN3GXUMA1
Κατασκευαστής:
Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CH 80V 18A WDSON-2.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction, Τρανζίστορ - IGBT - Ενιαίος, Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays, Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays, Θυρίστορ - SCRs, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ and Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Infineon Technologies BSB044N08NN3GXUMA1. Το BSB044N08NN3GXUMA1 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το BSB044N08NN3GXUMA1, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSB044N08NN3GXUMA1 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : BSB044N08NN3GXUMA1
Κατασκευαστής : Infineon Technologies
Περιγραφή : MOSFET N-CH 80V 18A WDSON-2
Σειρά : OptiMOS™
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 80V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 18A (Ta), 90A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.4 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 97µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 73nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 5700pF @ 40V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 2.2W (Ta), 78W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -40°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : MG-WDSON-2, CanPAK M™
Πακέτο / Θήκη : 3-WDSON

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • IXTY01N80

    IXYS

    MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-252AA.

  • IRFR1018ETRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 56A DPAK.

  • IXTU5N50P

    IXYS

    MOSFET N-CH 500V 4.8A TO-252.

  • IPA80R460CEXKSA2

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 800V TO-220-3.

  • TK42A12N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 120V 42A TO-220.

  • TK8A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 7.8A TO-220SIS.