Αριθμός εξαρτήματος :
NTMS4N01R2G
Κατασκευαστής :
ON Semiconductor
Περιγραφή :
MOSFET N-CH 20V 3.3A 8-SOIC
Κατάσταση εξαρτήματος :
Obsolete
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
20V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
3.3A (Ta)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
40 mOhm @ 4.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.2V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
16nC @ 4.5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
1200pF @ 10V
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
770mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
8-SOIC
Πακέτο / Θήκη :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)